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室內系統家具多樣化組合之研究

為了解決陶瓷薄板中島的問題，作者徐文彬 這樣論述：

摘要 近年來國內民眾對於各種室內空間需求，已經由一般的傳統木作、擺放家具，提升到針對不同的空間需求，有專業的設計師設計規劃，而設計規劃的重點，又以重視收納機能的收納櫃，結合以門片設計當牆面造型為主要項目，而且由於國人對環境保護及健康無毒的居住環境的重視，再加上設計師與系統家具業者的推廣，有越來越多的消費者選擇用有環保、耐燃、防蟲、防潮、低甲醛，兼顧美觀耐用…等，集多項優點的系統板材，來做為牆面造型及櫃體的主要材料。 目前市場上的室內裝潢，分成系統家具與設計公司兩大部分，先就系統家具來說，大部分的系統家具業者其設計思維，還停留在把系統櫃當傳統家具來設計規劃，且又受限於系統板材本身的

結構特性，更因為要求施工快速方便，而只用系統板材這單一料件，綜合以上因素，使得系統家具業者組裝出來的系統櫃，缺乏獨特性與多樣性，變成單調又制式化的系統家具。 而大部分的設計公司，經由設計師的巧思，能靈活運用各種裝潢材質與工法，使得室內空間呈現符合業主需求的風格與氛圍，但主要材料，由其是櫃體，還是以木作板料(木心板、夾板、角材…等)為主，並還迷思於傳統木作的質感優於系統板材。 所以造成一般消費者找系統家具業者裝潢，卻又顯得過於單調又流於制式化；找設計公司裝潢，又有甲醛、白蟻、防火、耐刮…等問題，沒有利用到系統板材應有的多項優點。有鑑於此，一個好的室內裝潢設計業者，應該運用設計、工法、

材料、特殊五金…等方式，集設計公司與系統板材的優點於一身，呈現既能符合業主需求的風格與氛圍，又能使用系統板材的諸多優點，使一般消費者能同時享有兩者的好處，而獲得更好的空間品質，也提供從事室內空間設計相關的工作者，新的設計思維，並進一步提升設計能力；創造消費者，設計者，環保、永續、無毒多贏的局面！關鍵詞：系統板材、收納櫃、設計思維、系統家具

以電漿沉積成長功能性奈米複合薄膜

為了解決陶瓷薄板中島的問題，作者陳國政 這樣論述：

本論文利用不同的電漿鍍膜技術成長含有奈米結構的類鑽碳奈米複合膜，成長技術包括了感應耦合式電漿系統、濺射輔助電漿CVD、電容耦合式電漿系統和電漿噴塗系統，而奈米結構包括了奈米陶瓷粒子(如SiC, Si3N4, ZrO2, TiC, TiO2, ZnO等)，以及奈米結構碳，用以提高奈米複合碳膜的硬度，降低膜的壓縮應力，提升薄膜的靭性，增強膜的附著力，降低摩擦係數，以及使其具有光致親水性。 利用感應耦合式電漿CVD沉積含SiCxNy奈米粒子的類鑽碳奈米複合膜，製程上通入HNDSN [(CH3)3Si-NH-Si(CH3)3]為前驅物，並在基板施加一負的脈衝直流電壓以提供鍍膜離子所需的能量。藉

由改變不同的基板偏壓之鍍膜參數，探討對於SiCxNy-DLC膜的表面形貌、粗糙度，以及薄膜機械性質之影響。本研究可獲得15 GPa的薄膜硬度且具有0.5 GPa相當低的壓縮應力值，摩擦係數範圍在0.06~0.09之間，並以奈米磨耗測試得到相對低的磨耗深度，此薄膜呈現出不錯的耐磨耗性能；而添加SiCxNy奈米粒子到DLC基質中，可以增加薄膜的破裂韌性。 利用濺射輔助電漿CVD沉積含ZrO2奈米粒子的類鑽碳奈米複合膜，製程上通入乙炔做為碳源，並利用進氣環裝置在靶材表面通入Ar而濺射ZrO2靶材。此ZrO2-DLC膜具有非常平坦的表面，其磨潤性質可藉由鍍膜過程中的基板偏壓做調控。當使用愈高的離子轟

擊能量，會促使膜中sp2碳含量增加，從而薄膜的硬度與楊氏係數都降低；而以Vickers探針去壓印ZrO2-DLC膜所得到的破裂韌性值在14~22 MPa•m1/2之間，顯示了DLC膜內包覆ZrO2奈米粒子可以增加薄膜的破裂韌性。 利用電漿噴塗CVD沉積含有奈米結構碳的類鑽碳奈米複合膜，製程上通入苯和氮氣做為反應氣體，並由穿透式電子顯微鏡分析發現了奈米結構碳的存在。電漿噴塗反應器具有高度的電漿解離率與氣相碰撞反應，並輔以在氣相中通入微量的氮氣，是成長奈米結構碳的重要因素。 本論文亦利用濺射輔助電漿CVD製備了類鑽碳膜內含有TiO2(或ZnO)奈米粒子，使類鑽碳膜具有光致親水性的功能。製程上在

靶材施加一RF電源並通入Ar氣體去濺射TiO2靶材(或ZnO靶材)，並同時通入乙炔氣體且基板施予一脈衝直流電壓來成長類鑽碳膜。藉由調控濺鍍功率之鍍膜參數，TiO2及TiC的奈米粒子都可以加入到膜中，此TiO2-DLC膜所具有的最高的硬度值為14 GPa並具有相當低的應力，水接觸角在照射紫外光40分鐘內可以降到0度之超親水性；而ZnO-DLC膜也具有光致親水性的效果。 本論文亦利用中空陰極電漿CVD在低溫下合成了非晶形氮化硼膜，製程上通入Borazine (B3N3H6)及氮氣做為反應前驅物。此非晶形氮化硼膜具有透明且平坦的表面，當施加的中空陰極功率愈高及在高濃度氮氣的環境下，愈有助於膜中形成

sp3鍵氮化硼，此中空陰極電漿為產生sp3鍵氮化硼的重要因素。