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以AAO模板法製備一維奈米電容器及分析其相關性質

為了解決電容單位uf的問題，作者蔡松霖 這樣論述：

利用陽極氧化鋁濾膜為模板，分別以溶膠-凝膠法(sol-gel)、電化學沉積法(ECD)、電泳沉積法(EPD)等方法，製備出具備MIM結構的一維奈米電容器，並且分析及相關介電特性。 控制奈米柵狀金電極的長度即可控制奈米金電極的表面積大小，進而分析二者相關性，並且以孔洞直徑為200nm的AAO膜為模板製備電容器量測其電容值最高可達10nF，相較於平板式電極之電容器其電容值約50pF有著相當於約200倍的提升。嘗試以不同規格的AAO模板製備一維奈米電容器，並且分析其變溫、變頻的相關介電特性。