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mosfet崩潰機制的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程：理論與實務(四版) 和呂文隆、張簡士琨、曾國境的 交換式電源設計(第三版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站淺接面結構對功率電晶體電性改善之研究也說明：This paper describes a low voltage power MOSFET by using shallow junction ... 模擬驗證功率電晶體實驗組與對照組單一晶胞結構之崩潰電壓(Breakdown voltage)及導 ...
這兩本書分別來自五南 和全華圖書所出版 。
國立臺北科技大學 電子工程系研究所 胡心卉所指導 游鴻墀的 系統面板應用之高電壓場板複晶矽薄膜電晶體之設計與分析 （2015），提出mosfet崩潰機制關鍵因素是什麼，來自於綠光雷射結晶、崩潰電壓、金屬場板、延展長度、漂移區長度、薄膜電晶體。
而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 李佩雯、郭明庭所指導 鐘俊逸的 低功率損耗670伏超級接面金氧半場效電晶體元件之微縮設計 （2014），提出因為有 超級接面、功率金氧半場效電晶體的重點而找出了 mosfet崩潰機制的解答。
最後網站大電流二極體則補充：稽納二極體的電流電壓關係圖，在此顯示崩潰電壓為17伏特。 ... 這種封裝是比較常用的一種直插式的小型封裝，很多元器件例如三極體、mos管、igbt等元器件均有采用。
半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)
為了解決mosfet崩潰機制 的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
系統面板應用之高電壓場板複晶矽薄膜電晶體之設計與分析
為了解決mosfet崩潰機制 的問題，作者游鴻墀 這樣論述：
本論文主要討論鰭式場板複晶矽薄膜電晶體結合三閘極奈米線結構之直流與耐壓特性。首先探討不同飄移區長度對元件特性參數之影響，再分析不同單一通道寬度結合不同延展長度對元件的直流特性與耐壓特性影響，並透過功率元件之象徵性指標(Figure of Merit, FOM)來獲得最佳之元件設計，能同時提升崩潰電壓與降低導通電阻。接著提出一種新穎的金屬場板設計來提升耐壓特性，並使用Synopsys TCAD進行3D元件模擬來探討導致特性差異之原因。實驗中，先找出耐壓特性最佳之漂移區長度，再運用到不同單一通道線寬結合延展長度來獲得最佳設計，同時利用本論文所提出之T型金屬場板(TFP)來比較與傳統方型金屬場板(
FP)之間的差異，藉此提升崩潰電壓。 此外，本論文比較不同結晶機制對元件特性的影響，分析傳統高溫固相結晶法(Solid Phase Crystallization, SPC)與低溫連續波綠光雷射結晶法(Continuous-wave green laser crystallization, CLC)的優缺點，做出同時擁有低導通電阻與高崩潰電壓之功率元件。
交換式電源設計(第三版)
為了解決mosfet崩潰機制 的問題，作者呂文隆、張簡士琨、曾國境 這樣論述：
書中系統地論述了交換式電源最常用的基本原理、磁性元件的設計原則及閉迴路回授穩定性和驅動保護等。本書同時涵蓋了交換式電源技術、材料和元件的最新發展等內容。本書適用於私立大學、科大，電子、電機相關科系『交換式電源設計』、『交換式電源供應器實務』、『切換式電源供應器』等課程使用。
低功率損耗670伏超級接面金氧半場效電晶體元件之微縮設計
為了解決mosfet崩潰機制 的問題，作者鐘俊逸 這樣論述：
超級接面金氧半場效電晶體(SJ MOSFET)關鍵技術在於精確地設計電荷平衡的元件結構。首先，我們分別模擬整理出未達電荷平衡時以及達成電荷平衡時，所對應之最大電場發生位置，以利於後續在模擬製程條件時，可以藉由調整N-epi的濃度、P-pillar寬度、P-pillar摻雜劑量等條件，來迅速達成電荷平衡的設計。綜合考量製程變異對於耐壓的變化(Process window)以及權衡兼顧崩潰電壓與導通電阻的優化，以下是我們經過多方模擬測試之後，針對主動區Cell pitch : 20m至14m元件的結構微縮所提出的設計法則：(1) WP = WN = CP/2；(2) Poly Gate Wi
dth = 0.7CP；(3) 保持總電荷相等 (WP × NP = WN × NN)。超級接面金氧半場效電晶體的結構設計，除了需優化主動區的元件之外，為了避免元件在周邊區域發生提早崩潰之情事，更需避免在周圍區域有大電場的聚集的情況發生。因此，我們提出使周圍區域的電場得以均勻分佈的方法：(1)以漸進梯度的方式來縮減周邊區域P型柱與柱間的距離；(2)周圍區域場板(Field plate)的長度優化設計。本論文利用Silvaco的Athena與Atlas，分別模擬製程流程與電性分析，並與實際元件，進行比對分析，確認優化設計之可行性。 總整模擬設計與實驗元件之測量結果可知，將元件Cell pi
tch從20m微縮至16m，雖然導致崩潰電壓從724降至678伏，但可以有效地調降特性導通電阻從3.4至2.45-mm2、也可調降閘極電荷(QG)從9.6至6.2nC，大幅降低功率損耗品質因子(FOM=Rdson×QG)約55%。模擬結果的趨勢與實驗結果吻合。為了進一步優化功率損耗品質因子，我們依Cell pitch=16m的條件為基準，藉由調變閘極寬從11m至9m，模擬結果顯示可再優化調降功率損耗品質因子約20%。根據此一模擬設計的元件結構，已有實際元件晶片產出，且驗證模擬設計法則之功效。