平方公分cm2的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列訂位、菜單、價格優惠和問答集

以結構重置方式用於 AlGaN/GaN 高電子遷移率電晶體的表現提升及熱力工程在高功率元件的應用

為了解決平方公分cm2的問題，作者馬蘇門 這樣論述：

本篇文章分析了閘極後退火處理對於的氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵奈米通道高電子遷移率電晶體之電性的影響，其通道長度分別為 200,400,600,800 奈米且填充因子為 0.45。在 10 分鐘攝氏 400 度的閘極後退火處理後，可發現 NC-HEMT 的直流電性參數有系統性的提升。透過二次離子質譜儀分析在攝氏 200 度、 300 度、 400 度以及500 度退火下的 NC-HEMT 以找出最佳的閘極後退火條件。由結果可知當退火溫度高於400 度時，閘極金屬(鎳/金)將會擴散至 AlGaN/AlN/GaN 的主動層進而劣化元件特性。在通道長度為 200 奈米的 NC-HEMT 元件中，可觀察

到透過閘極後退火可移除因電感耦合電漿乾式蝕刻所造成的淺陷阱，因此將蕭特基位障高度由原本的 0.42 電子伏特提升至 1.40 電子伏特，進而顯著地降低閘極漏電流約 3 個數量級。此外，以氧化鋁/二氧化矽作為閘極介電層的 AlGaN/GaN HEMT 可利用陷阱輔助技術以達到類似快閃記憶體之功能。此元件展示了在相對較低的讀寫偏壓(3 伏特)下，臨界電壓向正向大幅度偏移了 4.6 伏特，因此達到-0.3 伏特的臨界電壓及 575V毫安培-毫米的最大汲極電流。在閘極介電層沉積前以紫外光/臭氧表面處理，使GaN/氧化物介面處可產生 GaOxNY 的薄層，而此層可作為陷阱輔助層，為讀寫偏壓得以降低的主要

原因。根據 C-V 測量結果，造成大幅度臨界電壓正偏移的陷阱密度高達 5.7*1012 每平方公分。這些陷阱可歸類為介面或氧化層的缺陷。由於氧化鋁與二氧化矽的介面品質良好，使得 MIS-HEMT 相較於傳統 HEMT 有更低的閘極漏電流。此類似快閃記憶體的 MIS-HEMT 元件擁有 123 毫西門子/毫米的轉移電導、 1.7*1017的開關比、 121 的次臨界擺幅以及 7.5*10-9的閘極漏電流。表面鈍化處理對於 MOS-HEMT 的電流崩塌、其他元件特性的提升與可靠度而言十分重要。本篇文章中，我們將會展示在沉積二氧化矽前，施加紫外光/臭氧表面鈍化處理在 AlGaN/AlN/GaN MO

S-HEMT 上。我們使用 X 射線光電子能譜來驗證在 GaN 表面鈍化有所提升。由於紫外光/臭氧表面處理造成二氧化矽/氮化鎵介面的能帶彎曲，進而使得 MOS-HEMT 的臨界電壓正向偏移。此外，元件的電流崩塌現象、磁滯效應以及 1/f 特性由於 HfSiOX 鈍化層而有所改善。綜合上述兩種鈍化方式，使得介面陷阱得以大幅度地減少，而使得使用二氧化矽的 MOS-HEMT 電流崩塌幅度由原來的 10%改善至 0.6%。透過上述兩種方式鈍化的 MOS-HEMT 有著 655 毫安培每毫米的最大汲極電流、 116毫西門子每毫米的轉移電導、約107的開關比、 85的次臨界擺幅以及9.1*10-10安培每

毫米的閘極漏電流。我們展示了擁有目前最佳特性值的雙浮動閘極與多重浮動閘極的 MOS-HEMT，其閘極間距分別為 0.25 微米與 0.5 微米。多重浮動閘極 MOS-HEMT 的特性值達到 1.8，其歸因於 425 伏特的崩潰電壓 0.105 毫歐姆-平方公分的 Ron,sp。我們分別以定性、定量的討論部分掘入場板結構對於多重浮動閘極 MOS-HEMT 特性有何提升。元件的電場分佈也可由 Silvaco 電場模擬的結果來驗證。排列良好、高密度的二維電子雲與高效閘極調變能力的多重浮動閘極 MOS-HEMT 展示了 597 毫安培每毫米的最大汲極電流、截止頻率為 16GHz、最大振盪頻率為 23G

Hz 與 26.7%的功率轉換效率。

氧化釕金屬高效率催化劑在酸性中產氧的反應機制分析

為了解決平方公分cm2的問題，作者楊昊宇 這樣論述：

水分解為近年來再生能源發展儲能設備中相當具潛力的一環，而陽極產氧的 低效率一直為此研究的瓶頸。在此研究中，我們合成了以鈣鈦礦結構為模板的氧 化釕 金屬為主的無晶面催化劑，此催化劑在 0.5M 硫酸中之每平方公分十毫安 電流密 度的過電位僅僅只有 146 毫伏，為目前全球最有效率的數據，即使電流 密度拉 高至一百也其過電位也只有 190 毫伏。除此之外，其可在每平方公分十 毫安電 流密度維持 100 小時的穩定性。在此研究中，我們推敲出另一個可能的 反應機制，其反應機制與目前主要認同的機制有著相當大的差異，現行主要被認 可的機制是藉由單一金屬活性位與溶液中的水進行反應後，形成氧氧氫鍵後將氧 氣

脫附，而我們認為反應過程中需要兩個活性金屬位與溶液中的水進行反應後形 成氧氧鍵，接著脫附後離開表面。而在臨場實驗中，X 光吸收光譜可以觀察到其 結構中的金屬金屬鍵隨電壓升高而靠近，我們認為這是此反應機制活性高的關 鍵，在臨場拉曼實驗中，我們也觀察到反應起始店為有氧氧鍵的生成，更能佐證 我們的提出的機制。除此之外，在酸性溶液中的所產生的氫鍵也扮演很重要的角 色，不但能協助拉近氧氧之間的距離，使其形成氧氧鍵，而氫氣本身的脫附也能 穩定金屬活性位的價態，使其保持穩定。除此之外，此陽極催化劑也可在中性環 境擁有良好的活性，除了水分解外，也可做二氧化碳還原。